紫外線試驗箱/紫外老化箱多能級陷阱模型
 
紫外線試驗箱/紫外老化箱對兩水平陷阱深度水平的模型對電荷特性進行研究，這種處理方式過于簡單，有時候不能準確地反映不同能級陷阱內電荷的分布狀況。本節(jié)在國內外學者研究基礎上，將兩陷阱分布模型擴展為多能級分布陷阱分布模型。
 
 
固體絕緣材料內部存在一系列不同能量深度的陷阱，某些陷阱被電荷填充，而有部分處于空置狀態(tài)。對于不帶電的絕緣材料，由于本身的熱運動的，淺陷阱內的電荷會被激發(fā)躍遷到導帶中。處于導帶上的電荷難以穩(wěn)定，它會向淺陷阱躍遷，同時釋放能量。陷阱中捕獲電荷的變化率。
 
 
紫外線試驗箱/紫外老化箱其中Nc是導帶中的有效陷阱密度，vth是電荷熱運動速率，Ethi是陷阱深度，k為玻爾茲曼常數(shù)，T為溫度。熱脫陷常數(shù)與電荷脫陷時間常數(shù)成反比關系，即熱脫陷常數(shù)越大，時間常數(shù)越小，電荷消散就也快。由此，在獲得PEA的空間電荷測量數(shù)據(jù)，根據(jù)式求得ni和kthi，進而求得與脫陷率常數(shù)相對應的陷阱深度水平進而評估出材料內部的陷阱能級深度和陷阱電荷密度參數(shù)。http://gimelec.cn